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J-GLOBAL ID：201802241205333028   整理番号：18A0854320

4dおよび5d遷移金属三カルコゲン化物の電子バンド構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic band structure of 4d and 5d transition metal trichalcogenides

著者 (3件)： Sugita Yusuke (Department of Applied Physics, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Miyake Takashi (CD-FMat, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Motome Yukitoshi (Department of Applied Physics, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 536  ページ： 48-50  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals材料のファミリーである遷移金属三塩化物(TMTs)は,数層型における磁性の発見から興味を増している。3d遷移金属元素を持つTMTsは広く研究されているが,電子相関と相対論的スピン-軌道結合の間の興味ある相互作用が期待される4dと5dの場合についてはあまり研究されていない。ab initio計算を用いて,4dおよび5d遷移金属元素をもつTMTsの電子的性質を調べた。バンド構造はFermi準位近傍で多重ノード状の特徴を示すことを示した。これらは単分子層の場合に最近発見された複数のDirac円錐の残留物である。これらの結果は,層状バルク系でも特異な二次元多重Dirac円錐が隠されていることを示している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  磁性 ,  二次元 ,  *バンド構造 ,  電子相関 ,  相対論 ,  *カルコゲン化物 ,  相互作用 ,  単分子層 ,  塩化物 ,  多重化
準シソーラス用語： Diracコーン ,  第一原理計算 ,  L-S結合 ,  *電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： van der Waals材料 ,  遷移金属三カルコゲン化物 ,  電子バンド構造 ,  スピン-軌道結合 ,  Dirac電子

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 遷移金属 ,  カルコゲン化物 ,  電子バンド構造