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J-GLOBAL ID：201802241290549305   整理番号：18A0943074

ゲート付きシリコンナノワイヤを用いた熱電力発電機【JST・京大機械翻訳】

Thermo-Electric Power Generators Using Gated Silicon Nanowires

著者 (3件)： Hamid Ali ,  Foebelets Kristel ,  Velazquez-Perez Jesus Enrique
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EMS  ページ： 168-173  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sentaurus技術コンピュータ支援設計(TCAD)ソフトウェアを用いて,ゲート化シリコンナノワイヤの熱電発電を研究した。二つのNiSi2/n-Si/NiS2ナノワイヤ系を考慮した。一つは接触がOhmで,一つは高温側接触がSchottkyで,低温板接触Ohmである。接触-ナノワイヤ界面のゲーティングは接触の周りの空乏領域を変化させる。さらに,ゲートはナノワイヤ表面のキャリア濃度に影響し,Seebeck係数と電気伝導率を調整した。高温側接触に適切なゲート電圧を印加すると出力パワーを改善できる。Schottky-Ohm構造に対する最良出力パワーは,ナノワイヤの完全長をカバーするゲートをもつ構造に対して,30Kの温度差に対して,Ohm-Ohm構造のそれよりも約100倍高いことが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  *ナノワイヤ ,  CAD【計算機】 ,  界面 ,  電気伝導率 ,  高温 ,  熱電発電 ,  ソフトウェア
準シソーラス用語： 温度差 ,  ゲート電圧 ,  Seebeck係数 ,  ゲーティング ,  TCAD ,  *熱電能 ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  シリコンナノワイヤ ,  熱電力 ,  発電機