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J-GLOBAL ID:201802241334975967   整理番号:18A2040347

標準CMOSトランジスタのみを用いた±0.24°C不正確性を有するゼロ電力温度センサ【JST・京大機械翻訳】

A Near-Zero-Power Temperature Sensor with ±0.24 °C Inaccuracy Using Only Standard CMOS Transistors for IoT Applications
著者 (3件):
資料名:
巻: 2018  号: ISCAS  ページ: 1-4  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,抵抗器と特別な装置またはプロセスなしで標準CMOSトランジスタを使用することによってのみ,近ゼロ電力温度センサを提案した。通常のCMOSトランジスタを使用することによる一対の温度センシング素子を採用して,温度(CWT)検出電圧と比例絶対温度(PTAT)と一定を発生させた。次に,提案した超低電力電圧-電流(VI)コンバータを用いて,2つのセンシング電圧を2つの基準電流源に変換した。VIコンバータは,従来の抵抗器の代わりにCMOSトランジスタを用いることにより,一定の指数係数で線形電圧信号を指数電流源に変換する。結果として,電力損失とチップ面積の両方を節約した。全温度センサは,活性面積0.017mm~2の標準的な0.18pm CMOSプロセスで設計されている。供給電圧は600mVである。1点キャリブレーション後,0°C~80°Cの温度範囲で±0.24°Cの精度を達成した。電力消費は,センシング素子に対してはわずか22pW,VIコンバータに対しては25pW,室温(27°C)に対しては80pWであった。温度センサの良好な性能と超小型設備は,インターネット間(IoT)応用のための良好な実用性を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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