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J-GLOBAL ID：201802241354848192   整理番号：18A0962894

multicrystallineケイ素におけるキャリア誘起劣化に対する4状態運動論モデル リザーバ状態の導入【JST・京大機械翻訳】

A four-state kinetic model for the carrier-induced degradation in multicrystalline silicon: Introducing the reservoir state

著者 (10件)： Fung Tsun Hang (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Kim Moonyong (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Chen Daniel (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Chan Catherine E. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Hallam Brett J. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Chen Ran (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Payne David N.R. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Ciesla Alison (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Wenham Stuart R. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia) ,  Abbott Malcolm D. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Kensington, NSW 2052, Australia)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 184  ページ： 48-56  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,多重分解と再生サイクルを行うことによる多結晶シリコンキャリア誘起欠陥(CID)への新しい洞察と,拡張暗アニーリング(DA)によるmc-CIDの部分的回復に関するさらなる研究を示した。最大正規化欠陥密度はサイクル数とともに指数関数的に減衰し,欠陥前駆体はDAによりゆっくり枯渇することを示唆した。貯留層状態を導入することにより,4状態速度論モデルを提案した。提案した状態図に基づく数学モデリングにより生成したシミュレーション結果は実験結果と良く一致した。シミュレーション結果と組み合わせた部分的に回復した試料上の拡張DAは,DAによる欠陥形成の能力と,ここで提案した貯留層状態の存在が,文献で報告された部分的回復の根本原因であることを示唆した。最後に,結合水素状態の変化はmc-CID形成の変調を引き起こすと推測される。水素分子(H_2),ホウ素-水素対(B-H)および遊離水素(H+,H°)間の相互作用に基づく定性的貯留層モデルを提案し,さらに考察した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *水素 ,  前駆体 ,  相互作用 ,  焼なまし ,  状態図 ,  ポリシリコン ,  速度論 ,  欠陥密度 ,  指数関数
準シソーラス用語： 水素分子 ,  欠陥形成 ,  数理モデリング ,  貯留層 ,  再生サイクル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン ,  キャリア誘起劣化 ,  運動論的状態モデル ,  欠陥貯留層 ,  水素

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ケイ素 ,  キャリア ,  誘起 ,  運動論 ,  モデル ,  リザーバ