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J-GLOBAL ID:201802241449073358   整理番号:18A1131864

炭化ケイ素上のエピタキシャルグラフェンに基づくガスセンサの性能調整【JST・京大機械翻訳】

Performance tuning of gas sensors based on epitaxial graphene on silicon carbide
著者 (9件):
資料名:
巻: 153  ページ: 153-158  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0495B  ISSN: 0264-1275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,炭化ケイ素(SiC)上のエピタキシャルグラフェンに基づくセンサの性能向上の手段を調べた。SiC基板上のエピタキシャル成長グラフェンを,中空陰極パルスプラズマスパッタリングを用いて,TiO_2およびFe_3O_4のような金属酸化物ナノ粒子により,首尾よく修飾した。原子間力顕微鏡とRamanデータは,損傷がグラフェン表面に加えられないことを検証した。最も危険な揮発性有機化合物の一つであるベンゼンを検出することが容易であることを示し,Fe_3O_4修飾グラフェンセンサは,35dBの信号対雑音比で5ppbの超低濃度までダウンした。さらに,TiO_2修飾グラフェンセンサのUV光LED(265nm)による照明により,酸素の変化に対する感度が増強され,明確なセンサ応答が見られた。これは暗条件に対する顕著な改善であり,ほとんど応答は起こらなかった。最後の増強として,時間微分センサ信号をセンサデータ評価のために導入し,酸素の変化に対する応答を試験した。このセンサ信号評価手法は,センサの応答時間を少なくとも1桁低減するために使用できる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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変態組織,加工組織  ,  ろう付  ,  機械的性質  ,  セラミック・陶磁器の製造  ,  分散強化合金 
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