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J-GLOBAL ID：201802241523205814   整理番号：18A1029102

新しい変成多重接合太陽電池設計のための高透明組成傾斜バッファ【JST・京大機械翻訳】

Highly transparent compositionally graded buffers for new metamorphic multi-junction solar cell designs

著者 (3件)： Schulte Kevin L. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA) ,  France Ryan M. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA) ,  Geisz John F. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に透明な組成傾斜バッファ層(CGBs)の開発は,新しい5および6接合太陽電池設計を可能にし,効率は高濃度下で50%に近づいた。Al_1-x-yGa_xIn_yAsと高Seドープ,Burstein-Moss(B-M)シフトGa_xIn_1-xPをバッファ設計に用いて,GaAsとInP格子定数の間の非常に透明なグレードを実証した。>810nmの波長と>890nmの波長に対する透明度を,B-MシフトGa_xIn_1-xPにより,Bmiscut基板上に,Al_1-x-yGa_xIn_yAs/Ga_xIn_1-xPを,Aミスカット基板上に,それぞれ示した。これらの高度に透明なCGBsは,15mA/cm2でW_OC=0.41Vを示す0.74eV GaInAsセルのプラットフォームとしてのものである。この性能は,4接合IMMデバイスで使用される最新のGa_xIn_1-xPグレードの状態に匹敵する。GaAs/0.74eV GaInAsタンデム電池を,透明BMシフトGa_xIn_1-xP CGBを用いて成長させ,多接合素子におけるCGB性能を検証した。量子効率測定は,CGBがGaAsバンド端の下の光子に完全に透明であることを示し,単一傾斜バッファをもつ4~6接合IMMデバイスにおけるそれらの使用を検証した。このタンデムは非常に効率的な2接合バンドギャップ結合を示し,AM1.5グローバルスペクトルの下で29.6±1.2%の効率を達成し,付加的な透明性が新しいデバイス構造を可能にすることを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 波長 ,  バッファ層 ,  *接合 ,  ヒ化ガリウム ,  量子効率 ,  透明度 ,  *太陽電池 ,  セレン ,  ドーピング ,  *電池 ,  直列接続 ,  素子構造 ,  格子定数
準シソーラス用語： 透明性 ,  *組成傾斜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 変成 ,  多重接合 ,  太陽電池 ,  設計 ,  組成傾斜 ,  バッファ