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J-GLOBAL ID：201802241700683703   整理番号：18A1614017

Bi_2S_3ベースTi置換における低エネルギー光子吸収の増強:高性能太陽電池の展望【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of low energy photon absorption in Bi₂S₃ based Ti replacement: Prospect for high performance solar cells

著者 (5件)： Lawal M. (Department of Physics, Ahmadu Bello University, Zaria, Nigeria) ,  Lawal M. (Key Laboratory for Advanced Technology in Environmental Protection of Jiangsu Province, Yancheng Institute of Technology, Yancheng 224051, People’s Republic of China) ,  Saeed M.A. (Division of Science and Technology, University of Education, Township, Lahore, Pakistan) ,  Musa A. (Department of Physics, Bayero University, Kano, Nigeria) ,  Saeed Akthar Muhammad (Division of Science and Technology, University of Education, Township, Lahore, Pakistan)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 172  ページ： 680-690  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WIEN2Kコードに実装されたフルポテンシャル(線形化)増強平面波プラス局所軌道(FP-LAPW+lo)スキームを用いて,Ti置換の単一レベルにおけるカルコゲン化物型半導体における中間バンド(IB)形成の効果を研究した。一般化勾配近似/局所密度近似(mBJ-GA/LDA)エネルギー汎関数を用いて,TranBlahaの修正BeckeとJohnsonを用いることにより;純粋なBi_2S_3および2つのスラブモデルBi_4Ti_4S_12およびBi_12Ti_4S_24に対する誘電関数,屈折率,消光係数,吸収スペクトルおよび光学反射率を含む構造的,電子的および光学的性質を計算し,解析した。計算した電子特性は,Tiのd電子と親原子のp電子の間の相互作用の効果が,Tiが25%レベルでBiを置換したとき,IBの形成に影響を及ぼすことを示した。さらに,親構造は直接バンドギャップと高吸収係数α(ω)を示し,他の計算光学特性はBi_2S_3が光起電力応用の有望な材料であることを示した。さらに,25%置換では,中間バンドによる吸収の増強が主に太陽スペクトルの最も強い部分に現れた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  *ビスマス ,  半導体 ,  *チタン ,  *太陽電池 ,  *太陽 ,  誘電関数 ,  吸収係数 ,  屈折率 ,  光起電力 ,  吸収スペクトル
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  局所密度近似 ,  一般化勾配近似 ,  中間バンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光通信方式・機器  (ND10000B) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ti ,  置換 ,  低エネルギー ,  光子吸収 ,  増強 ,  高性能 ,  太陽電池 ,  展望