文献

J-GLOBAL ID：201802241746304545   整理番号：18A0871497

紫外レーザ改質酸化バナジウム薄膜【JST・京大機械翻訳】

Vanadium oxide film modified by UV laser

著者 (5件)： Li Haiou (广西精密導航技術与応用重点実験室,桂林電子科技大学,广西 桂林541004;射頻電路与系統教育部重点実験室,杭州電子科技大学,浙江 杭州310018) ,  Ding Zhihua (广西精密導航技術与応用重点実験室,桂林電子科技大学,广西 桂林541004;中国科学院微電子研究所,北京100029) ,  Pan Lingfeng (中国科学院微電子研究所,北京,100029) ,  Wang Xiaofeng (中国科学院微電子研究所,北京,100029) ,  Zhang Zichen (中国科学院微電子研究所,北京,100029)
資料名： Jiguang yu Hongwai  (Jiguang yu Hongwai)
巻： 47  号： 12  ページ： 1473-1478  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2073A  ISSN： 1001-5078  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 酸化バナジウム薄膜の調製後,アニーリング処理は,非晶質酸化バナジウム膜のシート抵抗を低減し,膜の結晶化特性を改善する。従来のアニーリング法の時間が長く、アニーリング過程がデバイス性能の低下を招く。酸化バナジウム薄膜をレーザ精密制御の特性により処理し,レーザパワー,ガウススポットの形状,および光スポットの重なり率を変えて,酸化バナジウム薄膜のシート抵抗,表面粗さ,および結晶度に及ぼすレーザフルエンスと光スポットの重なり率の影響を研究した。実験結果は,レーザパワーが0.7W,スポットの重なりが93.33%,スポットエネルギー密度が62.2mJ/cm2のとき,アニール酸化バナジウム薄膜のシート抵抗値は明らかに減少し,フィルム表面は滑らかで,酸化バナジウムの結晶度は良好であることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  結晶化 ,  *薄膜 ,  *レーザ ,  *紫外レーザ ,  エネルギー密度 ,  非晶質 ,  焼なまし ,  レーザ出力 ,  結晶度 ,  シート抵抗 ,  シミュレーテッドアニーリング
準シソーラス用語： レーザフルエンス ,  精密制御 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： laser power ,  laser overlap rate ,  vanadium oxide film ,  laser annealing ,  beam shaping

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 紫外レーザ ,  改質 ,  酸化バナジウム ,  薄膜