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J-GLOBAL ID：201802241759826083   整理番号：18A1028840

21.4%効率大面積n型シリコン太陽電池を実現するキャリア選択性トンネル酸化物不動態化コンタクト【JST・京大機械翻訳】

Carrier selective tunnel oxide passivated contact enabling 21.4% efficient large-area N-type silicon solar cells

著者 (6件)： Tao Yuguo (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Upadhyaya Vijaykumar (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Huang Ying-Yuan (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Chen Chia-Wei (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Jones Keenan (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA 30332-0250, USA) ,  Rohatgi Ajeet (Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive, Atlanta, GA 30332-0250, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,均一エミッタ上にスクリーン印刷された前面接触を有する高効率大面積n型Si太陽電池のための熱的に安定なキャリア選択的背面接触を提示した。著者らの不動態化接触構造は,リンをドープしたn+ポリSiでキャップされた超薄(~15Å)トンネル酸化物に基づいている。適切な前駆体PH_3/SiH_4比と適切な結晶化とドーパント活性化アニール温度が,728mVの暗示された開回路電圧(iV_oc)と<5fA/cm2の対応する逆表面場飽和電流密度(J_ob)を有する優れた界面不動態化品質を得るために重要であることを示した。トンネル酸化物はこのキャリア選択接触の重要な部分であり,その不在はiV_ocにおいて~125mVの低下をもたらすことが分かった。イオン注入均一ホウ素エミッタ上にスクリーン印刷および焼成Ag/Al前面接触を有する239cm~2商用グレードn型Czウエハ上で21.4%のセル効率を達成した。このセルの詳細な解析は,このセルの効率が,主に前面金属/p+接触における再結合により制限されることを示した。著者らの二次元シミュレーションは,選択的にドープしたホウ素エミッタ上にフィンラインメタライゼーションを適用することにより,このセル効率を22.5%以上に上げることができることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  スクリーン印刷 ,  *不動態化 ,  前駆体 ,  二次元 ,  *太陽電池 ,  ドーパント ,  界面 ,  銀 ,  *酸化物 ,  ドーピング ,  再結合
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  *シリコン太陽電池 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 大面積 ,  N型シリコン ,  太陽電池 ,  キャリア選択 ,  トンネル ,  酸化物 ,  不動態化 ,  コンタクト