文献

J-GLOBAL ID：201802241929050231   整理番号：18A1489850

エピタキシャルBiFeO_3薄膜における71°磁壁の長距離秩序化【JST・京大機械翻訳】

Long range ordering of 71° domain walls in epitaxial BiFeO₃ thin films

著者 (4件)： Yun Yeseul (Zentrum fuer Innovationskompetenz SiLi-nano, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Ramakrishnegowda Niranjan (Zentrum fuer Innovationskompetenz SiLi-nano, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Park Dae-Sung (Zentrum fuer Innovationskompetenz SiLi-nano, 06120 Halle (Saale), Germany) ,  Bhatnagar Akash (Zentrum fuer Innovationskompetenz SiLi-nano, 06120 Halle (Saale), Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 4  ページ： 042901-042901-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板関連の側面は,強誘電体薄膜におけるドメイン構造を調整するためにしばしば利用される。しかし,本研究では,あるドメイン状態の安定化における膜成長時の背景圧力の役割について報告した。高バックグラウンド圧力条件におけるBiFeO_3膜の成長は,71°磁壁の長距離秩序化と関連してc配向膜をもたらす。高圧の重要性は,酸素バックグラウンドガスの半分をアルゴンで置換することによって強調される。提案した機構は,高圧成長時の表面拡散率の増強と脱分極場のスクリーニングを考慮した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  脱分極 ,  高圧 ,  *磁壁 ,  *長範囲規則度 ,  *エピタクシー ,  アルゴン ,  表面拡散 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 配向膜 ,  ドメイン構造 ,  強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  磁壁 ,  長距離秩序