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J-GLOBAL ID：201802241940655094   整理番号：18A1378322

P-20:ハイブリッド相微細構造チャネルを持つ高性能でコスト効率の良いトップゲート酸化物TFTに向けて【JST・京大機械翻訳】

P-20: Towards High-Performance and Cost-Effective Top-Gated Oxide TFTs with Hybrid-Phase Microstructural Channels

著者 (10件)： Deng Sunbin (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chen Rongsheng (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chen Rongsheng (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, China) ,  Li Guijun (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Li Guijun (College of Electronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Zhang Meng (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Zhang Meng (College of Electronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, China) ,  Xia Zhihe (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Wong Man (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Kwok Hoi-Sing (State Key Laboratory on Advanced Displays and Optoelectronics Technologies, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 49  号： 1  ページ： 1252-1255  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド相微細構造を持つ新しいタイプの酸化物半導体を導入し,一般的なトップゲートTFTは高い,安定で空間的に均一な電気的性能を示した。さらに,一つのマスク低減を有する改良トップゲート素子を実証し,より費用対効果の高い製造を可能にした。得られたプロセスの影響は,自己整合デバイスの実現をさらに導くことができた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *チャネル ,  *微細構造 ,  自己整合
準シソーラス用語： 費用対効果 ,  *トップゲート ,  酸化物半導体 ,  ゲート酸化膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸化物半導体 ,  ハイブリッド相微細構造 ,  トップゲートTFT ,  費用効果的な製造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微細構造 ,  チャネル ,  高性能 ,  コスト効率 ,  トップ ,  ゲート酸化物 ,  TFT