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J-GLOBAL ID：201802241989050575   整理番号：18A2042181

二段階溶液法における極低転位密度4H-SiC結晶によるポリタイプ変態の抑制【JST・京大機械翻訳】

Suppression of Polytype Transformation with Extremely Low-Dislocation-Density 4H-SiC Crystal in Two-Step Solution Method

著者 (9件)： Murayama Kenta (Nagoya University, Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE), Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS); Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603) ,  Harada Shunta (Nagoya University, Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE), Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS); Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603) ,  Fujie Fumihiro (Nagoya University, Department of Materials Science and Engineering; Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603) ,  Liu Xin Bo (Nagoya University, Department of Materials Science and Engineering; Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603) ,  Murai Ryota (Nagoya University, Department of Materials Science and Engineering; Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603) ,  Zhu Can (Nagoya University, Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE), Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS); Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603) ,  Hanada Kenji (Aichi Science and Technology Foundation, Aichi Synchrotron Radiation Center; Aichi, Japan, 489-0965) ,  Tagawa Miho (Nagoya University, Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE), Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS); Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603) ,  Ujihara Toru (Nagoya University, Center for Integrated Research of Future Electronics (CIRFE), Institute of Materials and Systems for Sustainability (IMaSS); Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan, 464-8603)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 60-63  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特別に設計した種結晶を用いた二段階溶液法による極端に高品質のSiC結晶の成長を達成した。二段階成長は,貫通転位の減少のためのSi面上での1~stステップ成長と,基底面転位と厚さの減少のためのC面上での2~第2ステップ成長から成る。この方法では,転位密度を極端に低くすることができ,一方,多形は,貫通螺旋転位(TSD)に起因する螺旋ヒロックの不在により,成長中に容易に変化する。本研究では,連続的にステップを提供するために,1~2および2~2の成長段階のために特別に設計された種結晶を調製した。種子においては,ステップ構造の上部側にわずかなTSDsが存在する。その結果,極端に低転位密度の結晶によるC面成長の間のポリタイプ変態の抑制を実証した。従って,TSD,TEDおよびBPD密度が11,385および28cm-2の極端に低転位密度の4H-SiCを得ることに成功した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  成長段階 ,  貫通転位 ,  種結晶 ,  螺旋転位 ,  *ポリタイプ ,  溶液成長 ,  *炭化ケイ素 ,  *結晶 ,  *転位密度
準シソーラス用語： ヒロック ,  高品質 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ステップフロー成長 ,  ポリタイプ変換 ,  トップシード溶液成長(TSSG)

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 段階 ,  溶液 ,  転位密度 ,  4H-SiC ,  結晶 ,  ポリタイプ ,  変態