文献

J-GLOBAL ID：201802242259688106   整理番号：18A1028635

Si太陽電池エミッタ飽和電流密度に及ぼす電流発生スクリーン印刷Agペーストの影響評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluating the impact of current-generation screen-printed Ag paste on Si solar cell emitter saturation current density

著者 (4件)： Cooper Ian B. (SUNY Polytechnic Institute, Colleges of Nanoscale Science and Engineering, Photovoltaic Manufacturing and Technology Development Facility, Rochester, NY, 14626, USA) ,  Tate Keith (University Center of Excellence for Photovoltaic Research and Education, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Jones Keenan I. (University Center of Excellence for Photovoltaic Research and Education, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA) ,  Rohatgi Ajeet (University Center of Excellence for Photovoltaic Research and Education, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電流発生スクリーン印刷(SP)Agペーストは,低い飽和電流密度(J_0e)を示す軽くドープしたSi太陽電池エミッタを高い充填因子(FF)と接触させる能力を示した。しかし,低抵抗Ag接触を達成するためには,より高い焼成温度が必要であることを観察した。これは,J_0eを劣化させ,より低い開回路電圧(V_OC)をもたらす可能性がある。また,より高い焼成温度は,後部SPAl膜ブリスタリングをもたらした。セル性能に及ぼす前面および後部接触形成の影響を分離するために,ドーピング密度および焼成温度の範囲に対して,n+リン(P)エミッタJ_0eに及ぼすSP Ag接触の影響に関するデータを提示した。Ag被覆率領域(A_金属)の範囲を用いて,SP Ag(J_oe,金属)の下でJ_0eを抽出した。A_金属(dJ_0eJdA_金属)の関数としてのJ_0eの変化は焼成温度の上昇とともに増加し,J_0e,_金属の増加を示した。A_金属=7%における計算されたV_OC損失,SP Ag接触に対する典型的な被覆率は,実験的V_OC損失を完全に説明できず,高温焼成によるAl背面場(Al-BSF)劣化がV_OC損失を支配することが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  ブリスタリング ,  *スクリーン印刷 ,  *銀 ,  *電流発生 ,  被覆率 ,  *ケイ素 ,  *太陽電池 ,  ドーピング ,  アルミニウム
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  開回路電圧 ,  焼成温度 ,  充填率 ,  影響評価 ,  *銀ペースト ,  *飽和電流密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  太陽電池 ,  エミッタ ,  飽和電流密度 ,  電流発生 ,  スクリーン印刷 ,  Agペースト ,  影響評価