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J-GLOBAL ID：201802242336655781   整理番号：18A0859756

高精度MEMS応用のための一段シリコン基板スルーウエハエッチング法【JST・京大機械翻訳】

One-step silicon substrate through-wafer etching process for high precision MEMS application

著者 (6件)： Xu X. C. (Hubei Key Laboratory of Gravitation and Quantum Physics, School of Physics. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Wu W. J. (Hubei Key Laboratory of Gravitation and Quantum Physics, School of Physics. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Liu H. F. (Hubei Key Laboratory of Gravitation and Quantum Physics, School of Physics. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Fan J. (Hubei Key Laboratory of Gravitation and Quantum Physics, School of Physics. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Liu J. Q. (Hubei Key Laboratory of Gravitation and Quantum Physics, School of Physics. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Tu L. C. (Hubei Key Laboratory of Gravitation and Quantum Physics, School of Physics. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NMDC  ページ： 121-122  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低い機械的ノイズと高い感度を得るために,異なる材料間の熱膨張のミスマッチングから生じる製造プロセスの間の反りは,高精度測定MEMSデバイスの主要な問題と考えられている。反り低減を目的として,一段階シリコン基板スルーウエハエッチングプロセスを提案した。このプロセスは,450μmのエッチング深さに対する通常のDRIE(Deep Reactive Ion Etching)プロセスと,残留シリコン(50μm)除去のための最適化された低周波エッチングプロセスから構成されている。変形は,20mmの寸法を持つばね質量構造に対して2μm以内で抑制された。これは,ナノg MEMS加速度計の応用に非常に魅力的である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  LF【周波数】 ,  最適化 ,  加速度計 ,  生産工程 ,  *MEMS ,  熱膨張
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  *高精度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (3件)： MEMS ,  応用 ,  シリコン基板