文献

J-GLOBAL ID：201802242689413777   整理番号：18A1998869

高品質4H-SiC半導体に基づくSchottky障壁検出器:電気的および検出特性【JST・京大機械翻訳】

Schottky barrier detectors based on high quality 4H-SiC semiconductor: Electrical and detection properties

著者 (14件)： Zatko B. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Hrubcin L. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Hrubcin L. (Joint Institute for Nuclear Research, Joliot-Curie 6, RUS-141980 Dubna, Moscow Region, Russian Federation) ,  Sagatova A. (Slovak University of Technology in Bratislava, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovak Republic) ,  Sagatova A. (University Centre of Electron Accelerators, Slovak Medical University, Ku kyselke 497, SK-911 06 Trencin, Slovak Republic) ,  Osvald J. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Bohacek P. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Zaprazny Z. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Sedlackova K. (Slovak University of Technology in Bratislava, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovak Republic) ,  Sekacova M. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Dubecky F. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Skuratov V.A. (Joint Institute for Nuclear Research, Joliot-Curie 6, RUS-141980 Dubna, Moscow Region, Russian Federation) ,  Korytar D. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, SK-841 04 Bratislava, Slovak Republic) ,  Necas V. (Slovak University of Technology in Bratislava, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovak Republic)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 461  ページ： 276-280  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高品質4H-SiCエピタキシャル層上の表面障壁検出器の特性化に焦点を当てた。層の厚さは70μmで,円形Au/Ni Schottky接触の直径は2mmであった。作製したダイオード構造の順方向と逆方向の電流-電圧特性を測定した。順方向特性から,Schottky障壁高さ,理想因子,直列抵抗を計算し,逆特性から検出器の動作電圧を決定した。選択した検出器構造の分光性能を,238Pu,226Ra(α粒子)及び241Am(X及びγ線)のような種々の放射源を用いて試験し,高エネルギー分解能を示した。検出器構造を165MeV~132Xe23+イオンと5MeV電子をそれぞれ1.5×10~10cm-2と1.1×10~14cm-2のフルエンスまで照射した。分光性能の劣化を観察し評価した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *検出器 ,  フルエンス ,  α粒子 ,  キャラクタリゼーション ,  γ線 ,  *Schottky障壁 ,  ダイオード ,  電流電圧特性 ,  *半導体
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  直列抵抗 ,  理想因子 ,  エピタキシャル層 ,  *高品質 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高品質 ,  4H-SiC ,  Schottky障壁 ,  検出器