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J-GLOBAL ID：201802242723572799   整理番号：18A1948732

Langmuir Schaefer法による2D材料へのアプローチ

Approaching 2D-materials with Langmuir Schaefer Method

著者 (2件)： ISKANDAR Ferry (Inst. Teknologi Bandung, IDN) ,  AIMON Akfiny Hasdi (Inst. Teknologi Bandung, IDN)
資料名： 旭硝子財団助成成果報告書(Web)
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.109 (WEB ONLY)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0002A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元における材料配列の調整は,その物理的および化学的性質を修正する。ここでは,Langmuir-Schaefer法および滴下キャスティング法と名付けられた自己集合法に基づく配列二次元材料のボトムアップ手法を開発した。手作りのLangmuir Schaefer装置および滴下キャスティング法による還元グラフェン法(rGO)薄膜蒸着を得た。Langmuir Schaefer装置は,サブ相(液体)を制御するために,ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の槽と可動性障壁で構成した。このタイプの装置は,良好な分子制御による薄膜作製を可能にする。さらに本プロジェクトで,優れた電気的および光学的性質を有する魅力的な材料であるrGO薄膜が得られた。事前の薄膜蒸着で湿式化学プロセスにより酸化グラフェン(GO)を合成した。合成プロセスに続いて前駆体を基板に滴下キャストし,続く還元プロセスでrGO膜を得た。これらの手法は薄膜蒸着のための科学と技術に新しい視野を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *蒸着 ,  *薄膜成長 ,  構成 ,  *グラフェン ,  *酸化物 ,  開発 ,  *機能材料 ,  自己集合 ,  落下 ,  鋳造 ,  *Langmuir膜 ,  液相 ,  化学合成 ,  界面活性剤 ,  臭化物 ,  気液界面 ,  材料
準シソーラス用語： *Langmuir-Schaefer膜 ,  *二次元材料 ,  *還元酸化グラフェン ,  *酸化グラフェン ,  装置開発 ,  滴下 ,  薄膜形成 ,  *薄膜蒸着

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  液-気界面  (CB12020U)

物質索引 (1件)： ジメチルジオクチルアンモニウム

引用文献 (10件)：

• S.A. Chambers, R.F.C. Farrow, S. Maat, M.F. Toney, L. Folks, J.G. Catalano, T.P. Trainor, and G.E. Brown Jr., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2002 (246) 124.
• J. A. Moyer, C. A. F. Vaz, E. Negusse, D. A. Arena, and V. E. Henrich, Phys. Rev. B 2011 (83) 035121.
• Guldi. M Dirk, Martin Nazario., Fullerenes: From Synthesis to Optoelectronic Properties, 327, Springer
• Martin. P, Szableswski. M., Langmuir-Blodgett Troughs: Operating Manual 6th Edition, 20-21, NIMA Technology, 2002
• Ulman Abraham, An Introduction to Ultrathin Organic Films From LangmuirBlodgett to Self Assembly, 1991. 127-130, Academic Press

タイトルに関連する用語 (1件)： 2D