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J-GLOBAL ID:201802242743374340   整理番号:18A0619009

クロムをドープしたダイヤモンド状炭素膜のRaman及びEPR分光法研究【Powered by NICT】

Raman and EPR spectroscopic studies of chromium-doped diamond-like carbon films
著者 (7件):
資料名:
巻: 83  ページ: 30-37  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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パルスレーザ蒸着とマグネトロンスパッタリングの組合せを用いたハイブリッド技術で作製したダイヤモンド状炭素(CrフリーDLC)とクロムをドープしたDLC(CrドープDLC)膜を,Ramanおよび電子常磁性共鳴(EPR)分光法によって研究した。Ramanスペクトルはよく知られた炭素(D/G)バンドにより支配されている。D/Gバンドの強度比は,Cr含有量の増加と共に増加することが分かった。基質関連の注意深い除去(SiO_2)ピークはCCr結合の存在に起因する新しい弱い特徴を同定することができた。二E PR信号はCrとCrドープDLC膜で観測された。g=2.0025(3)でのEPR信号は.~2配位炭素関連欠陥(CRD)に起因し,g=2.0064で二E PR信号は,DLC膜とSiO_2基板の界面上の酸化されたSiの形成に起因して現れるP_b0界面欠陥に帰属された。CrフリーDLC膜におけるCRD E PR信号のg因子の観測された温度挙動は,ボトルネック領域における交換結合二スピン系(局在欠陥と伝導電子)のモデルによって記述された。線幅とCRD E PR信号の積分強度の温度依存性から,強磁性秩序化は,交換定数J=0.069meVのスピン系で起こると結論した。CRDのスピン密度はCrドープDLC膜,CCr結合の形成に起因して有意に減少していることが分かった。CrドープDLC膜におけるGaussへのCrフリーDLC膜におけるLorentzからCRD線形の観測された変化は,CRDと周囲のCr核の不対スピンの間の超微細結合であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 

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