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J-GLOBAL ID：201802242784386439   整理番号：18A1768100

半導体パワーエレクトロニクススイッチの性能指数【JST・京大機械翻訳】

The Figure of Merit of a Semiconductor Power Electronics Switch

著者 (1件)： Shenai Krishna (Computation Institute, University of Chicago, Chicago, IL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 10  ページ： 4216-4224  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの性能指数(FOM)は,その性能限界に達するので,重要な品質を表し,特定の方向で技術開発を駆動するためにしばしば使用される。それらのFOMsを用いたスイッチングパワーMOSFETの性能を比較することは,電力半導体およびパワーエレクトロニクス産業におけるユビキタス実践になっている。本論文では,提案したパワーMOSFET FOMsの批判的レビューを示し,重要な限界を議論した。Q_GとT_jmaxに沿ったQ値Q_F_2=(λE_c/R_ON,sp)は,半導体材料のアバランシェ絶縁破壊のための熱伝導率と臨界電界強度,それぞれR_ON,spがゲート電荷であり,T_jmaxが半導体パワーデバイスの最大接合温度であることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  絶縁破壊 ,  電荷 ,  *半導体 ,  半導体素子 ,  電力 ,  品質 ,  *スイッチ ,  半導体材料 ,  *性能指数 ,  臨界 ,  Q値 ,  *パワーエレクトロニクス ,  電界強度
準シソーラス用語： パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： パワーエレクトロニクス ,  性能指数