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J-GLOBAL ID：201802242803890365   整理番号：18A0971913

真空電子応用のためのグラフェン被覆銅の二次電子収率の計算【JST・京大機械翻訳】

Calculations of secondary electron yield of graphene coated copper for vacuum electronic applications

著者 (5件)： Nguyen H. K. A. (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA) ,  Mankowski J. (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA) ,  Dickens J. C. (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA) ,  Neuber A. A. (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA) ,  Joshi R. P. (Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409, USA)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 015325-015325-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多分マルチパクタに導くことができる二次電子収率(SEY)の抑制は,いくつかの応用のための重要な目標である。いくつかの技術はSEYを低くするための幾何学的改良に焦点を当てているが,少数の単分子層としての薄いグラフェン被覆の使用は,単独技術として,あるいは幾何学的変化と協調することのどちらかに注意を払う有望な新しい開発である。ここでは,最近の実験データと比較して,グラフェン被覆銅上のSEYのモンテカルロに基づく数値研究について報告する。予測値は一般的に報告された測定値と良く一致した。グラフェン被覆による50%(銅以上)の二次電子収率の抑制は125eV以下のエネルギーで予測され,無線周波数応用におけるマルチパクタ抑制のために良くなる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  単分子層 ,  *グラフェン ,  *銅 ,  *被覆
準シソーラス用語： 無線周波数 ,  予測値 ,  数値研究 ,  マルチパクタ ,  *二次電子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： Auger電子放出,二次電子放出  (BM09040O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 真空 ,  電子 ,  応用 ,  グラフェン ,  銅 ,  二次電子 ,  収率 ,  計算