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J-GLOBAL ID：201802242818007194   整理番号：18A0537961

180GHzオンチップ統合広帯域バルンの設計と特性評価【Powered by NICT】

Design and characterization of a 180-GHz on-chip integrated broadband balun

著者 (4件)： Ghaleb Hatem (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, 01062 Germany) ,  Fritsche David (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, 01062 Germany) ,  Carta Corrado (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, 01062 Germany) ,  Ellinger Frank (Chair for Circuit Design and Network Theory, Technische Universitaet Dresden, 01062 Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： RWS  ページ： 237-239  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシック集積のための180GHzを中心とする受動平面バルンの設計と特性化を示した。オンウエハ特性化のための新規手法を提示し,解析した,高リターンロスを持つオンチップ終端を達成するバイアホール構造とそれらの金属パッドに依存している。バランキャラクタリゼーションは1dBの平均挿入損失と140と220GHzの間の 12dBより優れているリターンロスを示した。位相差は180GHzで177.2°であり,所望の周波数範囲で約180°ほぼ直線的に変化した。相平衡は174と189GHzの間の15GHz帯域幅にわたって±5°以内であるチップ面積は0.05mm~2以下であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 帯域幅 ,  相平衡 ,  バイアホール ,  *バルン ,  周波数 ,  挿入損 ,  *キャラクタリゼーション ,  *広帯域
準シソーラス用語： チップ面積 ,  位相差 ,  反射減衰量 ,  モノリシック集積化 ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (6件)： オンチップ ,  統合 ,  広帯域 ,  バルン ,  設計 ,  特性評価