文献

J-GLOBAL ID：201802242966140528   整理番号：18A1621115

CMOSピーキング電流基準における温度補償【JST・京大機械翻訳】

Temperature Compensation in CMOS Peaking Current References

著者 (4件)： Eslampanah Sendi Mohammad Sadegh (Electrical Engineering Department, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Kananian Siavash (Electrical Engineering Department, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Sharifkhani Mohammad (Electrical Engineering Department, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Sodagar Amir M. (Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 65  号： 9  ページ： 1139-1143  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,サブ閾値と強い反転領域で動作するMOSトランジスタによるピーク電流基準への修正を,チップ上の温度変化に対する免疫を持つ非常に小さい電流を得ることにより提案した。従来のピーク電流源構造にソース縮退抵抗器を加えることにより温度補償を行うことができる。設計例は,1.5μAと40μAの出力電流による弱いおよび強いインバージョン操作の両方に対して提供され,-40°Cから+100°Cのスパンにわたって,それぞれ4%および10%の変動がある。弱い反転領域と強い反転領域で動作する回路のプロトタイプを設計し,シミュレーションし,TSMC 0.18μmプロセスで製作した。測定結果により,提案した構造の機能性を検証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 縮退 ,  抵抗器 ,  CMOS ,  スパン ,  *電流 ,  MOSFET ,  *温度補償 ,  プロトタイプ ,  温度変動
準シソーラス用語： 機能性 ,  ピーク電流 ,  サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (2件)： CMOS ,  温度補償