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J-GLOBAL ID：201802243001643256   整理番号：18A0929788

有機電界効果トランジスタにおける電気二重勾配非理想性【JST・京大機械翻訳】

Electrical Double-Slope Nonideality in Organic Field-Effect Transistors

著者 (6件)： Phan Hung (Center for Polymers and Organic Solids, Mitsubishi Chemical Center for Advanced Materials, Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Ford Michael J. (Center for Polymers and Organic Solids, Mitsubishi Chemical Center for Advanced Materials, Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Lill Alexander T. (Center for Polymers and Organic Solids, Mitsubishi Chemical Center for Advanced Materials, Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Wang Ming (Center for Polymers and Organic Solids, Mitsubishi Chemical Center for Advanced Materials, Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Bazan Guillermo C. (Center for Polymers and Organic Solids, Mitsubishi Chemical Center for Advanced Materials, Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106, USA) ,  Nguyen Thuc-Quyen (Center for Polymers and Organic Solids, Mitsubishi Chemical Center for Advanced Materials, Department of Chemistry and Biochemistry, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 28  号： 17  ページ： e1707221  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタ(FET)は現代エレクトロニクスにおける最も重要な回路素子の一つである。最近,種々の新しい応用において柔軟なエレクトロニクスの必要性が開発されている。例には,形状適合の健康監視装置,柔軟なディスプレイ,および柔軟な無線周波数同定タグが含まれている。有機FET(OFET)は,柔軟な基板と本質的にソフトで機械的に互換性のある小分子や共役高分子を含む半導体π共役材料を組み込むので,このような柔軟なデバイスを作製するための実行可能な候補である。しかし,OFETsは工業的に実行可能であるが,それらは高い電荷キャリア移動度だけでなく,理想的で理解できる電気的特性を達成しなければならない。最近,OFETsの移動曲線における非理想的二重傾斜特性(すなわち,低ゲート電圧における高勾配と高ゲート電圧における低勾配)は,文献において異なる機構的合理性をもたらす撹拌議論を持っている。本レビューでは,二重傾斜特性を持つFETをもたらす現象に関連する一般的な観測,機構的理解,および可能な解に焦点を当てた。二重傾斜の問題を扱う単一ソース関連文献における調査と系統的要約により,OFETsにおけるこの電気的非理想性を解釈し避けるための実験フレームワークと理論的基礎を提供した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  *FET【トランジスタ】 ,  回路部品 ,  キャリア移動度 ,  互換性 ,  電子技術 ,  半導体 ,  撹拌 ,  小分子 ,  表示装置
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  π共役 ,  共役重合体 ,  無線周波数 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷トラッピング ,  接触抵抗 ,  D-Aポリマ ,  二重斜面の非理想性 ,  有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 有機電界効果トランジスタ ,  勾配