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J-GLOBAL ID：201802243370489557   整理番号：18A0172229

薄膜太陽電池の吸収層用のCuIn(Se_xS_1-x)₂膜の電着プロセスと性能

Electrodeposition Process and Performance of CuIn(Se_xS_1-x)₂ Film for Absorption Layer of Thin-Film Solar Cells

著者 (5件)： LI Libo (Harbin Univ. Sci. and Technol., Harbin, CHN) ,  YANG Xueying (Harbin Univ. Sci. and Technol., Harbin, CHN) ,  GAO Guanxiong (Harbin Univ. Sci. and Technol., Harbin, CHN) ,  WANG Wentao (Harbin Univ. Sci. and Technol., Harbin, CHN) ,  YOU Jun (Harbin Univ. Sci. and Technol., Harbin, CHN)
資料名： Journal of Materials Engineering and Performance  (Journal of Materials Engineering and Performance)
巻： 26  号： 11  ページ： 5333-5340  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： C0161B  ISSN： 1059-9495  CODEN： JMEPEG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率化合物太陽電池としてCIGS(Cu(In,Ga)Se₂)があるが,その光吸収層としてCuIn(Se_xS_1-x)₂(CISS)膜が適用される。このシステムの普及が望まれているが,現状のCISS膜の製造方法は真空装置内での成膜によっており,コスト面で課題がある。幾つかの代替製造プロセスが開発されているが,満足できる結果は得られていない。本研究においては,この課題に対して電着による成膜を試みた。電着は,SnO₂/F(FTO)ガラスを作用電極とし,CuSO₄,In₂(SO₄)₃,SeO₂,Na₂S₂O₃および酢酸ナトリウムからなる電解液を用いて電着を行なった。得た膜について,結晶構造解析,微細構造観察,表面形態調査,電気化学的特性評価および光学特性調査を行なった。これらの実験から,電着によって,平滑,均質,緻密でバンドギャップ1.49eVのCuIn(Se_xS_1-x)₂膜が得られたことを示した。

シソーラス用語： 太陽電池 ,  *銅化合物 ,  インジウム化合物 ,  セレン化物 ,  硫化物 ,  *光吸収 ,  *電着 ,  薄膜
準シソーラス用語： CIGS太陽電池

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜太陽電池 ,  吸収層 ,  電着 ,  プロセス