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J-GLOBAL ID：201802243372021646   整理番号：18A0883296

分子ビームエピタクシーInAlSb赤外検出器の光電性能の温度効果【JST・京大機械翻訳】

Temperature effect of InAlSb infrared detectors on photoelectric properties by molecular beam epitaxy

著者 (5件)： Chen Gang (中国空空導弾研究院,河南 洛陽,471009) ,  Li Mo (中国空空導弾研究院,河南 洛陽,471009) ,  Lv Yanqiu (中国空空導弾研究院,河南 洛陽471009;紅外探測器技術航空科技重点実験室,河南 洛陽471009) ,  Zhu Xubo (中国空空導弾研究院,河南 洛陽,471009) ,  Cao Xiancun (中国空空導弾研究院,河南 洛陽471009;紅外探測器技術航空科技重点実験室,河南 洛陽471009)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 46  号： 12  ページ： 92-96  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシー成長法により,InSb(100)基板上にp+-p+-n-n+障壁型構造のIn1-xAlxSbエピ層を形成した。X線回折を用いて、材料の結晶品質及びAl成分に対してテストとキャラクタリゼーションを行い、InAlSbエピ層の半値幅が0.05°であり、エピタキシャル材料の単結晶性が良好で、ブラッグ方程式及びビゴ法則により、Al成分が2.5%であることを計算した。次に,77210Kでのスペクトル応答曲線を,77Kでの4.48μmから4.95μmまで,そして,そのパラメータEg(0),α,およびβの値は,それぞれ,0.2386eV,2.87×10-4eV/K,および166.9Kであり,そして,そのインピーダンスは,それぞれ,77Kで,約1.09×10-5A/cm-2,および,77Kで,それぞれ,1.48μm,2.87×10-4eV/K,および166.9Kであり,そして,それは,77KでのInSb検出器の性能を,それぞれ,約1.09×10-5A/cm-2,および,約1x10Kで,それぞれ,約0.2386eV,2.87×10-4eV/K,および166.9Kである,と結論づけることができた。.1.77KでのInSb検出器の性能は,それぞれ,約0.2386eV,2.87×10-4eV/K,および166.9Kであった,そして,それは,77KでのInSb検出器の性能に匹敵する,ことが分かった,そして,その値は,それぞれ,約0.2386eV,2.87×10-4eV/K,および166.9Kであった,そして,それは,77Kで,それぞれ,約0.2386eV,2.87×10-4eV/K,および166.9Kであった,そして,それは,77KでのInSb検出器の性能に匹敵する,と結論づけた。。...5μm,および,それぞれ,1,10,および10Kで,それぞれ,約0.2386eV,2.87×10-4eV/K,および166.9Kである。デバイスの異なるタイプの暗電流に対する温度の影響を解析し,デバイスの拡散電流と生成-再結合電流の遷移温度は約120Kであった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *赤外検出器 ,  *MBE成長 ,  再結合 ,  *温度依存性 ,  *検出器 ,  キャラクタリゼーション ,  半値幅 ,  アンチモン化インジウム ,  X線回折 ,  暗電流
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  結晶品質 ,  エピタキシャル層 ,  *アンチモン化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： molecular beam epitaxy ,  InAlSb ,  photoelectric properties ,  infrared detectors

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  InAlSb ,  赤外検出器 ,  光電 ,  温度効果