文献

J-GLOBAL ID：201802243389489290   整理番号：18A0185132

130nm SiGeプロセスでの18.5dB電力利得をもつ173GHz増幅器f_max/2上の高利得増幅器の系統的設計【Powered by NICT】

A 173 GHz Amplifier With a 18.5 dB Power Gain in a 130 nm SiGe Process: A Systematic Design of High-Gain Amplifiers Above $f_{¥max }/2$

著者 (3件)： Khatibi Hamid (Electrical and Computer Engineering Department, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Khiyabani Somayeh (Electrical and Computer Engineering Department, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Afshari Ehsan (Electrical Engineering and Computer Science Department, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 66  号： 1  ページ： 201-214  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポートネットワークのための安定性の新しい理論を開発した。この理論を用いて,最大発振周波数(f_max)近くで動作する高出力利得をもつ増幅器を設計する新しい方法を提案した。既存増幅器設計方法論とは対照的に,この方法では,電力増幅のトランジスタ性能は完全に利用されている。高出力利得を有することを用いてデバイスの分解活性のために困難なこれはf_maxに近い周波数でますます重要になっている。提案した方法は,モデル化誤差およびプロセス 最悪ケース変動とモデル化誤差が起こるも製作した増幅器は,適切な電力利得をもつ安定であるだろうことを保証するために,設計段階で使用されている要素の電圧-温度変化を考慮した。提案アプローチの実現可能性を示すために,130nm SiGeプロセスからバイポーラ接合トランジスタを用いた,173GHzで三段増幅器を設計した。作製した増幅器は,173GHzで18.5dBの最大電力利得を持っている。同じバイアスと同じトランジスタを用いた類似した三段増幅器をシミュレーションで6.8dBの最大利得を与えるであろう,入力,出力と段階で完全な無損失共役整合した。製作した増幅器は電力利得の大幅な改善を達成することが明らかになった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  *増幅器 ,  電圧 ,  バイアス ,  バイポーラトランジスタ ,  温度変動 ,  *利得 ,  共役 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： モデル化誤差 ,  高出力 ,  最大発振周波数 ,  *高利得 ,  *パワーゲイン ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiGe ,  プロセス ,  電力利得 ,  増幅器 ,  高利得 ,  系統 ,  設計