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J-GLOBAL ID：201802243394023522   整理番号：18A1310358

二次元平面構造接触配置による強誘電体BaTiO_3材料におけるブースト光電流【JST・京大機械翻訳】

Boosted photocurrent in ferroelectric BaTiO₃ materials via two dimensional planar-structured contact configurations

著者 (4件)： Ma Nan (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, PR China) ,  Ma Nan (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, PR China) ,  Yang Ya (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, PR China) ,  Yang Ya (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, PR China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 50  ページ： 417-424  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光起電力効果により垂直構造サンドイッチ構造を持つ強誘電体素子で光電流を発生させることができる。これは外部電源を使用することなく光検出器などの電子素子に応用できる。しかし,強誘電体材料の光電流を効果的に増強する方法は,これらの応用に対する重要な課題の一つである。二次元平面構造化接触電極配置を利用することにより,強誘電体BaTiO_3ベース自己給電光検出器における光電流の劇的な増加を報告した。従来の垂直構造素子と比較して,作製した平面構造素子は,365nmのUV光照射下で安定な光電流の900倍以上の増強を示した。バンドエネルギー理論に基づく物理モデルを用いて,観測された現象の起源を説明した。この経路を用いることにより,強誘電体材料における光電流の顕著な増強は,二次元平面構造強誘電体光検出器の新しい領域を開くであろう。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光検出器 ,  *光電流 ,  *強誘電体 ,  紫外線 ,  サンドイッチ構造 ,  光起電力効果 ,  光センサ ,  *平面構造 ,  *二次元
準シソーラス用語： 物理モデル ,  電極配置 ,  強誘電体材料 ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BaTiO_3 ,  光検知器 ,  光起電力効果 ,  平面構造 ,  自己出力

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 平面構造 ,  接触配置 ,  強誘電体 ,  光電流