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J-GLOBAL ID:201802243395908539   整理番号:18A1806635

剥離MOS_2電界効果トランジスタの電気的性能を高めるための電熱アニーリング【JST・京大機械翻訳】

Electrothermal Annealing to Enhance the Electrical Performance of an Exfoliated MoS2 Field-Effect Transistor
著者 (9件):
資料名:
巻: 39  号: 10  ページ: 1532-1535  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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剥離したMoS_2電界効果トランジスタ(FET)のON状態電流(I_ON)を改善するために電熱アニーリング(ETA)を適用した。ETAは,装置のソースとドレインを通して流れる電流によって発生する局所化Joule熱を使用する。MoS_2チャネルとMoS_2-金属接合の両方におけるプロセス誘起汚染物質は減少した。移動度と寄生抵抗の抽出を含む電気的特性化を行い,アニーリング効果を解析した。また,MoS_2フレークが剥離ベースのMoS_2 FETにおいて多様なサイズと非対称形状を有するので,ETAプロセスを最適化するためのパラメータに関する洞察を提供するために,数値的熱シミュレーションを実行した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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トランジスタ 
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