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J-GLOBAL ID：201802243409520018   整理番号：18A0400170

オプトエレクトロニクス応用のための蒸着したCdO薄膜の基板に依存した物理的性質【Powered by NICT】

Substrate dependent physical properties of evaporated CdO thin films for optoelectronic applications

著者 (5件)： Purohit Anuradha (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur-313001, India) ,  Chander S. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur-313001, India) ,  Patel S.L. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur-313001, India) ,  Rangra K.J. (Sensors and Transducers Group, CSIR-CEERI, Pilani-333031, India) ,  Dhaka M.S. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur-313001, India)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 381  号： 22  ページ： 1910-1914  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CdO薄膜をガラス,酸化インジウムスズ(ITO),フッ素ドープ酸化スズ(FTO)とシリコン(Si)ウエハ上に電子ビーム蒸着法により成長させた。堆積した膜は構造的,光学的,表面形態,元素分析および電気分析のためのX線回折(XRD),UV-Vis分光光度計,走査電子顕微鏡,エネルギー分散分光法(EDS)とソース計(電流-電圧)でそれぞれ分析した。膜は(200)優先配向した立方晶構造(空間群Fm3m)の単相を有していた。構造パラメータ,すなわち面間隔,結晶粒サイズ,格子定数,内部歪と転位密度を計算し,基板の性質によって変化することが分かった。光学バンドギャップは2.24 3.95eV範囲であることが分かったと基板に依存した。SEM分析から,膜は緻密,均質でピンホールや亀裂のような欠陥のない粒状構造を持つことを示した。EDSスペクトルは,異なる基板上に堆積した膜中のカドミウム(Cd)と酸素(O)の存在を確認した。膜の電流-電圧特性はオーミック挙動を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 優先配向 ,  光学ギャップ ,  *薄膜 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  酸化インジウムスズ ,  格子定数 ,  結晶粒径 ,  構造パラメータ ,  転位密度 ,  立方晶系 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 表面形態 ,  FTO【酸化物】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化カドミウム ,  薄膜 ,  基板 ,  XRD ,  光学的性質 ,  SEM

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  蒸着 ,  CdO ,  薄膜 ,  物理的性質