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J-GLOBAL ID：201802243422119026   整理番号：18A2071864

多結晶PbS薄膜と金の間のSchottky接触に及ぼす熱処理の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Thermal Treatments on the Schottky Contact between Polycrystalline PbS Thin Film and Gold

著者 (4件)： Bakar Abu (Institute of Industrial Control System; Rawalpindi, Pakistan, 1398) ,  Mansoor Muhammad (Institute of Industrial Control System; Rawalpindi, Pakistan, 1398) ,  Asim Muneeb (Institute of Industrial Control System; Rawalpindi, Pakistan, 1398) ,  Khan Shaheed (Institute of Industrial Control System; Rawalpindi, Pakistan, 1398)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 778  ページ： 230-235  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の金属(S-M)接触に対する電気的特性,すなわちSchottky接触は素子の性能に対して重要な役割を果たす。Schottky接触の形成は正確な熱処理を必要とし,接合の電気的特性にも影響する。本研究では,化学浴法を用いて石英基板上に多結晶硫化鉛(PbS)の薄層を蒸着した。アルミニウムと金の金属電極を熱蒸着法により半導体膜の各側に蒸着した。アルミニウムと金の膜はそれぞれ10nmと200nmの厚さであった。後者では,基板を空気中で種々の時間熱処理し,熱処理の効果をI-V測定により評価した。S-M接触の電気的挙動の異常は処理により緩和されることが分かった。飽和電流における0.1x10-6Aから0.4x10-6Aへの変化が観察された。同様に,S-M接触の理想因子(V_th<<V_d)は,元のPbS上では12であったが,熱処理後には2.7に減少し,改良されたSchottky接触を示した。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *硫化鉛 ,  *金 ,  アルミニウムめっき ,  真空蒸着 ,  *熱処理 ,  基板 ,  *多結晶 ,  接合 ,  電気的性質 ,  半導体
準シソーラス用語： 理想因子 ,  飽和電流 ,  金属電極 ,  *Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 理想因子 ,  飽和電流 ,  金Schottky接触 ,  IVテスト ,  PbS半導体薄膜

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  プレス加工  (WC04050H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多結晶 ,  PbS ,  薄膜 ,  金 ,  Schottky接触 ,  熱処理