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J-GLOBAL ID:201802243477139401   整理番号:18A1900254

IGBTの抵抗と温度に及ぼすボンディングワイヤとはんだ故障の影響のFE解析【JST・京大機械翻訳】

FE analysis the effect of bonding wire and solder failure on the resistance and temperature of IGBT
著者 (6件):
資料名:
巻: 2018  号: ICEPT  ページ: 1232-1236  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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より高い電力密度における電力モジュールの需要が増加しているので,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のボンディングワイヤとはんだ故障はより厳しくなっている。従って,これらの2つの異なる破壊モードの全体的なモジュール劣化への寄与を定量化することは非常に重要である。本論文では,異なる結合ワイヤ量とはんだボイド面積の有限要素(FE)モードを確立した。これらのモデルの抵抗変化を計算し,比較した。さらに,抵抗と飽和電圧(V_ce)の関係に基づいて,2つの故障モードの劣化度を評価した。一方,温度に及ぼすボンディングワイヤとはんだの破壊比の影響を測定し,解析した。結果は,はんだボイドがボンディングワイヤリフトオフよりモジュール故障に大きな影響を持つことを示した。ボンディングワイヤの揚力比が44%のとき,Vceは3.5%だけ増加し,モジュールは破壊しなかった。それにもかかわらず,はんだのボイド面積比が22%であるとき,V_ceは38.7%増加し,モジュール故障を引き起こす。この結果は,IGBTモジュールの電気的および熱的特性を評価するための簡単な方法を提供するだけでない。また,全体モジュールの劣化度に及ぼす異なる故障モードの影響を識別するための基礎を確立した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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