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J-GLOBAL ID：201802243484317900   整理番号：18A0008104

厚銅多層基板を用いたSiC-MOSFET高周波インバータの開発

Development of an SiC-MOSFET High Frequency Inverter Using Multilayer Printed Circuit Board with Thick Copper Layers

著者 (4件)： 石川光亮 (北大) ,  小笠原悟司 (北大) ,  竹本真紹 (北大) ,  折川幸司 (北大)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-17  号： 52-65.67-73  ページ： 53-58  発行年： 2017年11月20日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HF【周波数】 ,  *インバータ ,  *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *プリント基板 ,  配線 ,  インダクタンス ,  PWM制御 ,  電気回路 ,  パターン形成 ,  銅 ,  特性 ,  電圧 ,  電気サージ
準シソーラス用語： 高周波インバータ ,  多層基板 ,  PWMインバータ ,  主回路 ,  厚銅 ,  インピーダンス特性 ,  サージ電圧

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 厚 ,  銅 ,  多層基板 ,  SiC ,  MOSFET ,  高周波インバータ ,  開発