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J-GLOBAL ID：201802243554554753   整理番号：18A1769756

デュアルゲート有機薄膜トランジスタに及ぼす構造パラメータの影響【JST・京大機械翻訳】

Structural Parameter Impact on Dual Gate Organic Thin Film Transistors

著者 (2件)： Mishra Neha (Department of Electronics and Communication Engineering, Madan Mohan Malaviya University of Technology, Gorakhpur, (Uttar Pradesh), 273010, India) ,  Kumar Brijesh (Department of Electronics and Communication Engineering, Madan Mohan Malaviya University of Technology, Gorakhpur, (Uttar Pradesh), 273010, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： WIECON-ECE  ページ： 245-248  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,アトラス2-Dデバイスシミュレータを用いて,200nmから100nmまでの有機半導体(OSC)の厚さ変化の影響を示した。移動度,しきい値電圧およびサブ閾値勾配,ドレイン電流などの種々のパラメータに及ぼすその影響を解析した。この結果から,OSCの厚さが変化すると,二重ゲート有機薄膜トランジスタ(OTFT)の性能が低下すると結論した。これは半導体-酸化物界面における電荷の蓄積のためである。次に,チャネル長さの影響を調査し,チャネル長さが減少することを見出した。チャネルの抵抗は増加し,ドレイン電流を減少させた。素子の形態に及ぼすこれらの変化の影響を深く解析した。したがって,閾値電圧の増加が素子の負の側面であるという解析から得られる。その後,デバイスの性能に及ぼすチャネル長さ(L)の影響を解析するために,Lを両側,上部および下部において25μmから50μmおよび25μmから5μmまでのステップサイズで変化させた。電流の著しい変化が観察されたが,他のパラメータでは非常にわずかな変化が探求され,したがって,よりコンパクトな回路応用のために,より低い寸法のデバイスが作製できた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  界面 ,  電流 ,  半導体 ,  有機半導体 ,  酸化物 ,  チャネル ,  *構造パラメータ
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  *二重ゲート ,  *有機薄膜トランジスタ ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  ステップサイズ ,  デバイスシミュレータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： デュアルゲート ,  有機薄膜トランジスタ ,  構造パラメータ