文献

J-GLOBAL ID：201802243749102943   整理番号：18A1597974

RFエネルギーハーベスティングのためのFD-SOI28nmとBiCMOS55nmで実現したDickson電圧整流器の2段階の性能比較【JST・京大機械翻訳】

Performance Comparison of Two Stage of Dickson Voltage Rectifier Realized in FD-SOI 28 nm and BiCMOS 55 nm for RF Energy Harvesting

著者 (4件)： Awad M. (CNRS, Grenoble INP Institute of Engineering, IMEP-LAHC, Univ. Grenoble Alpes, France) ,  Benech P. (CNRS, Grenoble INP Institute of Engineering, IMEP-LAHC, Univ. Grenoble Alpes, France) ,  Duchamp J.-M. (CNRS, Grenoble INP Institute of Engineering, IMEP-LAHC, Univ. Grenoble Alpes, France) ,  Corrao N. (CNRS, Grenoble INP Institute of Engineering, IMEP-LAHC, Univ. Grenoble Alpes, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMS  ページ： 980-983  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Dickson電圧整流器の2つのステージを,FD-SOI 28nmとBiCMOS 55nmの2つの異なる技術で実現した。両方の技術におけるダイオードのI-V特性の測定は,FD-SOIがBiCMOSと比較してより小さい閾値電圧とより少ない漏れ電流を示すことを明らかにした。測定結果により,FD-SOIで実現した整流器の効率はBiCMOSを用いて得た整流器の効率よりも優れていることを確認した。さらに,FD-SOIにおけるバックゲート分極(BGP)の影響を調べ,新しい動的BGPを提案した。45%の電力変換効率(PCE)はFD-SOIにおいて-10dBmで達成され,一方,36%のPCEが同じ電力でBiCMOSにおいて観察された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  ダイオード ,  *電圧 ,  *BiCMOS ,  電力 ,  *整流器 ,  分極 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  バックゲート ,  閾値電圧 ,  性能比較 ,  *エネルギーハーベスティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： RFエネルギーハーベスティング ,  整流器 ,  段階 ,  性能比較