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J-GLOBAL ID：201802243755829782   整理番号：18A0623488

数層六方晶窒化ホウ素に基づく高性能深紫外光検出器【Powered by NICT】

High-performance deep ultraviolet photodetectors based on few-layer hexagonal boron nitride

著者 (10件)： Liu Heng (Key Lab of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China. [e-mail]) ,  Meng Junhua ,  Zhang Xingwang ,  Chen Yanan ,  Yin Zhigang ,  Wang Denggui ,  Wang Ye ,  You Jingbi ,  Gao Menglei ,  Jin Peng
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 12  ページ： 5559-5565  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの同形,六方晶窒化ホウ素(h BN)は新しいグラフェンに基づくデバイスにおける超平坦基板またはゲート誘電体層としての潜在的応用のために大きな注目を集めている。に加えて,h-BNはその異常な物理的性質のため深紫外(DUV)オプトエレクトロニクス応用のための有望な材料であるように思われ,広いバンドギャップと高い吸収係数である。本研究では,制御可能な層を持つ二次元h-BNはイオンビームスパッタリング蒸着によりCu箔上に合成し,DUV光検出器はSiO_2/Si基板上に転写されたh-BN層から作製した。より高い基板温度で合成したh-BN層はドメイン境界と高い結晶品質の低い密度を持ち,3nm h-BN層に基づく光検出器は,212nmでのDUV光照射下で>10~3のオン/オフ比と約225nm.のカットオフ波長を持つ高い性能を示した。二次元h-BN層は,高性能ソーラブラインド光検出器の構築に有望であることを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  イオンビーム ,  波長 ,  バンドギャップ ,  *光検出器 ,  スパッタ蒸着 ,  基板温度 ,  吸収係数 ,  グラフェン ,  光照射 ,  二次元
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  シリコンウエハ ,  *深紫外線 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 六方晶窒化ホウ素 ,  高性能 ,  深紫外 ,  光検出器