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J-GLOBAL ID：201802243857004461   整理番号：18A0939685

可視光照射下での新しいCO_3O_4/Cd_0.9Zn_0.1S p-nヘテロ接合光触媒の非常に高い光触媒H_2発生【JST・京大機械翻訳】

Extremely high photocatalytic H₂ evolution of novel Co₃O₄/Cd_0.9Zn_0.1S p-n heterojunction photocatalyst under visible light irradiation

著者 (4件)： Han Yanling (School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, PR China) ,  Liang Zhibin (School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, PR China) ,  Dang Haifeng (School of Environment and Civil Engineering, Dongguan University of Technology, Dongguan 523808, PR China) ,  Dong Xinfa (School of Chemistry and Chemical Engineering, South China University of Technology, Guangzhou 510640, PR China)
資料名： Journal of the Taiwan Institute of Chemical Engineers  (Journal of the Taiwan Institute of Chemical Engineers)
巻： 87  ページ： 196-203  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3224A  ISSN： 1876-1070  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体光触媒が太陽光で励起されるとき,空間における電荷キャリアの移動と分離は,H_2発生に向けての光触媒水分解にとって重要である。ここでは,新しいCo_3O_4/Cd_0.9Zn_0.1S p-nヘテロ接合複合材料を容易なソルボサーマル法により成功裏に調製した。貴金属助触媒を用いないCo_3O_4/Cd_0.9Zn_0.1S-2上の極端に高いH_2発生(139.78mmol/g/h)を可視光照射(λ≧420nm)下で得た。それは裸のCd_0.9Zn_0.1S上で得られたものより15.88倍高く,見掛け量子効率(AQE)は23.21%(λ=420nm)に達した。特性化結果は,p-CO_3O_4とN-Cd_0.9Zn_0.1Sの接触界面におけるp-nヘテロ接合の存在,ならびに増分光吸収が顕著な光触媒活性の起源であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子効率 ,  半導体 ,  貴金属 ,  太陽光 ,  複合材料 ,  光吸収 ,  *光触媒 ,  *ヘテロ接合 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  接触界面 ,  ソルボサーマル合成 ,  水分解 ,  電荷キャリア ,  *可視光照射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 光触媒 ,  p-nヘテロ接合 ,  H_2の進化 ,  CO_3O_4 ,  Cd_0.9Zn_0.1S

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 可視光照射 ,  P-Nヘテロ接合 ,  光触媒