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J-GLOBAL ID：201802243871900984   整理番号：18A0125612

ゲルマニウム単結晶の抵抗Czochralski成長中の熱伝達,熱応力と転位密度の数値解析【Powered by NICT】

Computational analysis of heat transfer, thermal stress and dislocation density during resistively Czochralski growth of germanium single crystal

著者 (4件)： Tavakoli Mohammad Hossein (Physics Department, Bu-Ali Sina University, Hamedan 65174, Islamic Republic of Iran) ,  Renani Elahe Kabiri (Physics Department, Bu-Ali Sina University, Hamedan 65174, Islamic Republic of Iran) ,  Honarmandnia Mohtaram (Physics Department, Bu-Ali Sina University, Hamedan 65174, Islamic Republic of Iran) ,  Ezheiyan Mahdi (Faqulty of Physics, Malek Ashtar University, Shahin Shahr, Islamic Republic of Iran)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 483  ページ： 125-133  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,IR光学用Ge単結晶を成長させるために用いたCzochralski装置のための流体流,温度勾配,熱応力と転位密度の数値シミュレーションのセットは,成長過程の種々の段階のために行った。全ての計算に適用した二次元定常状態有限要素法。得られた数値結果は,温度場,熱応力と転位構造は主に成長系における結晶高さ,熱放射とガス流に依存していることを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単結晶 ,  温度勾配 ,  *転位密度 ,  二次元 ,  *数値解析 ,  赤外線 ,  *熱伝達 ,  熱放射 ,  気体流 ,  温度場 ,  *熱応力 ,  *ゲルマニウム ,  有限要素法
準シソーラス用語： 定常状態 ,  数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A1計算機シミュレーション ,  A1熱伝達 ,  A1Fliudは流れ ,  A2Czochralski法 ,  B2半導性ゲルマニウム

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲルマニウム ,  単結晶 ,  成長 ,  熱伝達 ,  熱応力 ,  転位密度 ,  数値解析