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J-GLOBAL ID：201802243994887615   整理番号：18A1204218

異なるビスマス含有量のNa_5Bi_5(Ti,W,Ni)O_3薄膜のエネルギー貯蔵性能に関する比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative study on energy storage performance of Na_.5Bi_.5(Ti,W,Ni)O₃ thin films with different bismuth contents

著者 (5件)： Yang Changhong (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Yao Qian (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Qian Jin (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Han Yajie (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Chen Juan (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 8  ページ： 9643-9648  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のBi含有量(Bi_5+δNTWN,δ=-2.5,0,2.5,5.0%)を有するBi_5+ΔNA_5(Ti_.96W_.01Ni_.03)O_3薄膜を,化学溶液堆積によって酸化インジウムスズ/ガラス基板上に首尾よく製造した。微細構造,漏れ電流特性,強誘電及びエネルギー貯蔵特性に及ぼすBi含有量の影響を詳細に調べた。全ての膜は二次相なしに単一ペロブスカイト構造に結晶化した。平均粒径は,δ=-2.5%で57nmからδ=5.0%で39nmまで減少した。他の3つのフィルムと比較して,Bi_.525NTWNサンプルは,漏れ電流密度の明らかな減少を示した。各膜に対して,印加電場の増加とともに,支配的伝導機構は,粒界制限伝導,Ohm伝導,空間電荷制限伝導および界面制限Fowler Nordheimトンネリングであった。破壊強度の大きな値と残留分極と最大分極の間の差のために,Bi_.525NTWNサンプルは,2500kV/cmで最大回復可能エネルギー貯蔵密度(65.8J/cm3)とエネルギー貯蔵効率(52.9%)を有した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エネルギー貯蔵 ,  漏れ電流 ,  結晶粒界 ,  分極 ,  残留分極 ,  トンネル効果 ,  界面 ,  酸化インジウムスズ ,  *ビスマス ,  微細構造 ,  *薄膜 ,  電場 ,  結晶化
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  非定常計測 ,  微細構造 ,  漏れ電流 ,  エネルギー貯蔵

分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (7件)： ビスマス ,  含有量 ,  Ti ,  Ni ,  薄膜 ,  エネルギー貯蔵 ,  研究