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J-GLOBAL ID：201802244072796994   整理番号：18A1777840

銅上の大サイズ単結晶h-BNのその場形成ナノ粒子支援成長【JST・京大機械翻訳】

In situ formed nanoparticle-assisted growth of large-size single crystalline h-BN on copper

著者 (9件)： Li Man (State Key Laboratory of Material Processing and Die and Mould Technology, School of Materials Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan 430074, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhou Shasha ,  Wang Renyan ,  Yu Yiwei ,  Wong Hoilun ,  Luo Zhengtang ,  Li Huiqiao ,  Gan Lin ,  Zhai Tianyou
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 37  ページ： 17865-17872  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： h-BNは,グラフェンの成長と同様に,化学蒸着により制御可能な方法で合成できる広く使われている超薄絶縁体である。しかし,その成長機構のあいまいな理解のために,大サイズの単結晶h-BNを成長させることは困難である。本研究では,従来の多結晶銅上での大サイズ単結晶h-BN成長のための新しいその場形成ナノ粒子支援成長戦略を提案した。h-BNの面核形成密度は,予備酸化により導入されたその場形成ナノ粒子により,mm2当たり約10~5核から約10~2核に抑制できることを見出した。したがって,~10~2μmまでの長さの単結晶h-BNが容易に合成された。さらに,最初に,h-BNの面核形成密度が最初に減少し,次に極端なアニーリング条件下で増加し,銅上のh-BNの核形成を抑制するための競合誘起限界が存在することを見出した。この機構はh-BNとグラフェン合成に対して普遍的であり,将来,大サイズのグラフェン/h-BNヘテロ構造合成の道を開くであろう。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  *単結晶 ,  *銅 ,  多結晶 ,  化学蒸着 ,  曖昧さ ,  *ナノ粒子 ,  グラフェン ,  絶縁体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  成長メカニズム ,  予備酸化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属の結晶成長  (BK13030M) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 銅 ,  大サイズ ,  単結晶 ,  h-BN ,  ナノ粒子 ,  支援 ,  成長