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J-GLOBAL ID：201802244109921910   整理番号：18A0127097

金属間化合物単結晶からの中性および荷電粒子の二次発光【Powered by NICT】

Secondary emission of neutral and charged particles from intermetallic single-crystal

著者 (3件)： Tolpin K.A. (Moscow State University, Moscow 119991, Russia) ,  Minnebaev K.F. (Moscow State University, Moscow 119991, Russia) ,  Yurasova V.E. (Moscow State University, Moscow 119991, Russia)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 148  ページ： 106-112  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリング二次イオンと二次電子放出は高い腐食抵抗と大きな硬度をもつ金属間Ni_4Mo化合物,ロケットと原子炉の構成要素を構築するための材料として使用されているが実験的に研究した。スパッタリングのプロセスを,無秩序と秩序結晶の最上層の不変と変化組成(偏析)Ni_4Mo(111)面の分子動力学シミュレーションにより解析した。最密充填方向中のNiとMo原子の主要な出口は相関衝突で観察し,説明した。ニッケルとモリブデンの両原子は無秩序結晶の同じ結晶学的方向に放出される。規則結晶ではニッケル原子はこれらの方向から逸脱していた。発生した放出された粒子のスパッタリングと数の起源を計算した。(111)Ni_4Mo面からの二次電子放出のために最密充填方向で極大値が実験的に得られ,開水路の側面に位置する原子に及ぼす一次及び二次電子の散乱によって説明された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金属 ,  二次電子放出 ,  分子動力学 ,  ニッケル ,  計算機シミュレーション ,  *金属間化合物 ,  *荷電粒子 ,  耐食性 ,  偏析 ,  *発光 ,  スパッタリング ,  *単結晶 ,  モリブデン
準シソーラス用語： 二次電子 ,  最密充填 ,  分子動力学シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 二次イオン放出 ,  スパッタリング ,  二次電子放出 ,  散乱 ,  金属間化合物 ,  分子動力学

分類 (2件)： イオン放出  (BM09070V) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属間化合物 ,  単結晶 ,  中性 ,  荷電粒子