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J-GLOBAL ID：201802244158942092   整理番号：18A0159606

InGaP/GaAsコレクタアップH BTの熱管理のためのグラフェン熱スプレッダ【Powered by NICT】

Graphene Heat Spreaders for Thermal Management of InGaP/GaAs Collector-Up HBTs

著者 (3件)： Lee P.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsinchu, Taiwan) ,  Tu W.-M. (Department of Electronic Engineering, Kun Shan University, Tainan, Taiwan) ,  Tseng H.-C. (Department of Electronic Engineering, Kun Shan University, Tainan, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 1  ページ： 352-355  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs/InGaAs/InGaPコレクタ-アップ(カップ)ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(H BT)の背面でのグラフェン熱スプレッダ(GHS)を配置することによるInGaP/GaAs電力増幅器(PA)のための新しい熱管理設計を提示した,n-p-nおよびp-n-p型を含む。GHSは熱拡散のための余分な脱出チャネルを作成するために用いた,物理ベース解析,熱放散改善を正当化するために行った。GHSにおける温度分布とマルチフィンガトランジスタに及ぼす熱結合効果を改善するためにこれらのスプレッダの適用を検討した。n-p-nデバイスと比較して,p-n-pデバイスはより大きな熱安定性増強の結果,異常および再現性を示した。数値シミュレーションと実験測定の両方は,GHSの熱性能を達成した。は高効率セルラ送受話器PAで使用されるGaAs系H BTの従来の熱除去配置を置換することで示唆された構造の可能性を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,  温度分布 ,  熱除去 ,  *グラフェン ,  *ヒ化ガリウム ,  熱拡散 ,  電力増幅器 ,  HBT【トランジスタ】 ,  シミュレーション ,  熱安定性 ,  *熱管理 ,  熱放射 ,  熱特性
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *ヒートスプレッダ ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaP ,  GaAs ,  コレクタ ,  BT ,  熱管理 ,  グラフェン ,  熱スプレッダ