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J-GLOBAL ID：201802244289519150   整理番号：18A0924470

InAsSb/GaAs(001)上の面内超高密度InAs量子ドットの成長過程と光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Growth Process and Photoluminescence Properties of In-Plane Ultrahigh-Density InAs Quantum Dots on InAsSb/GaAs(001)

著者 (4件)： Oikawa Shingo (Department of Engineering Science, The Univsersity of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan) ,  Makaino Akinori (Department of Engineering Science, The Univsersity of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan) ,  Sogabe Tomah (Info-Powered Energy System Research Center, The University of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan) ,  Yamaguchi Koichi (Department of Engineering Science, The Univsersity of Electro-Communications, 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 255  号： 4  ページ： e1700307  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsはInAsSb/GaAs(001)上に分子線エピタクシー(MBE)により成長させた。InAsの初期成長では,InAsSbぬれ層(WL)上に細長い小さな二次元(2D)島が形成された。InAs成長が進行すると,3Dドットが自発的に形成され,その下にある2Dテラスが狭くなる。さらに,2D層の表面原子は歪緩和のために脱着した。3Dドット体積は,供給量から推定したものより大きかった。これらの結果から,2D層から脱着された表面原子は3D島に再結合していることが分かった。ドット密度は1×10~12cm-2に達した。光ルミネセンス(PL)ピークエネルギーと半値全幅は2D-3D成長モード遷移に対する臨界被覆率で連続的に変化した。特に,PLピークエネルギーは3D島の平均体積の-0.27乗にほぼ比例する。これらの3D島のキャリアは,面内超高密度と小サイズにもかかわらず,0D電子系に基づく性質を持つことを明らかにした。さらに,PL強度と量子ドット密度との関係を評価した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 被覆率 ,  再結合 ,  MBE成長 ,  *光ルミネセンス ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化インジウム ,  三次元 ,  *量子ドット ,  FWHM ,  電子系 ,  二次元
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  濡れ層 ,  *高密度 ,  *アンチモン化ヒ化インジウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 成長プロセス ,  InAsSb ,  分子ビームエピタクシー ,  光ルミネセンス ,  量子ドット

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAsSb ,  GaAs ,  高密度 ,  InAs量子ドット ,  成長過程 ,  光ルミネセンス