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J-GLOBAL ID:201802244337710216   整理番号:18A1393231

高効率IBC-SHJ太陽電池のための接触スタックの理論的評価【JST・京大機械翻訳】

Theoretical evaluation of contact stack for high efficiency IBC-SHJ solar cells
著者 (4件):
資料名:
巻: 186  ページ: 66-77  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,IBC-SHJ太陽電池における電荷キャリア輸送機構の理論解析を示した。接触と輸送選択性の概念をc-Si界面におけるバンド曲がりを通して相関させて,充填因子(FF)と開回路電圧(V_OC)に影響する薄膜シリコンパラメータを同定するために用いた。さらに,キャリアの輸送は電子に対する伝導帯および正孔に対する価電子帯におけるエネルギー障壁に関連している。p型接触の場合,正孔の輸送は主にp型層の活性化エネルギーとバンドギャップおよびTCOの仕事関数に影響される。n型接触の場合,ドープ層の活性化エネルギーと仕事関数は電子の輸送に最も影響した。選択的輸送は,各ドープ接触スタックにおける多数キャリアの収集を最大化することにより改善されるが,少数キャリアをブロッキングする。特に,ドープ層の低活性化エネルギー値は,多くのキャリアに対するエネルギー障壁を最小化し,c-Si界面におけるバンド曲がりを増加させるために重要である。TCAD Sentaurusに基づくシミュレーション結果は,ドープ層の活性化エネルギーが減少するとFFが増加することを明らかにした。また,p型接触に対して,p型層のバンドギャップはc-Si界面におけるバンド曲がりに強く影響した。特に,p型層のバンドギャップを広げると,V_OCとFFに関して不動態化と輸送が増強されたが,p型層と関連する透明導電性酸化物(TCO)の間の仕事関数の不整合はバンドギャップが増加すると強く増加した。これは,適切なTCOの選択と組み合わせて,p層の活性化エネルギーに対してより敏感であるので,デバイスの性能を低下させる可能性がある。現実的な堆積層を考慮すると,低い活性化エネルギーと組み合わせた広いバンドギャップp型層は,正孔収集を改善し,変換効率η=27.2%に対して最大シミュレーションFF=86.8%とV_OC=754mVをもたらした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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