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J-GLOBAL ID：201802244371463376   整理番号：18A0151019

シリコン太陽電池の先進的局所特性化【Powered by NICT】

Advanced Local Characterization of Silicon Solar Cells

著者 (3件)： Breitenstein Otwin (Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany) ,  Fruehauf Felix (Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany) ,  Bauer Jan (Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201700611  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日生産される太陽電池の大部分を表す,多結晶シリコン材料から作製した太陽電池は本質的に不均一なデバイスである。バルク過剰キャリア寿命,短絡回路電流密度,飽和電流密度,及び有効バルク拡散長さに決定的に影響する,一桁またはそれ以上位置に位置から変化する可能性がある。さらに,そのような細胞はオーミックシャント,特にエッジ領域で,顕著な空乏領域再結合電流の位置を含む可能性がある。太陽電池のための古典的な局所特性化法は,光ビーム誘起電流(LBIC)マッピングである。この方法は暗電流密度に影響を及ぼす因子に関する直接的な情報を与えない。不均一細胞の信頼できる定量的局所特性化は電気及び光ルミネセンス(ELとPL)イメージングと暗ロックインサーモグラフィー(DLIT)を組み合わせて行うことができる。本論文では,これらの方法の適用において十分に確立された最も最近の知見をレビューし,代表的な応用例を示した。ルミネセンスイメージングは局所直列抵抗イメージングのための,全ての種類の再結合活性欠陥の定量的イメージングのための最も適切であることを示した。一方,DLITは低い空間分解能を示したが,空乏領域とバルク飽和電流密度のような局所的二ダイオードパラメータを画像化するための最も適切である,後者は局所短絡電流密度にも結論を引き出すことを可能にした。シリコン太陽電池の包括的局所特性化はDLITとルミネセンスイメージングの両方,お互いを補完することを適用することによって可能である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 空間分解能 ,  光ルミネセンス ,  暗電流 ,  固体内拡散 ,  *太陽電池 ,  電流 ,  ポリシリコン ,  画像処理 ,  再結合 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  空乏領域 ,  飽和電流密度 ,  短絡電流密度 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ロックインサーモグラフィー ,  光ルミネセンスイメージング ,  飽和電流密度イメージング ,  直列抵抗イメージング ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン太陽電池 ,  特性化