文献

J-GLOBAL ID：201802244547473022   整理番号：18A1617677

Cu_2zn_4/CdS太陽電池のバンド整列と界面バンドギャップにおける大きなプロセス依存変化【JST・京大機械翻訳】

Large process-dependent variations in band alignment and interface band gaps of Cu₂ZnSnS₄/CdS solar cells

著者 (6件)： Crovetto Andrea (DTU Nanotech, Technical University of Denmark, DK-2800 Kgs. Lyngby, Denmark) ,  Crovetto Andrea (SurfCat, Department of Physics, Technical University of Denmark, DK-2800 Kgs. Lyngby, Denmark) ,  Cazzaniga Andrea (DTU Fotonik, Technical University of Denmark, DK-4000 Roskilde, Denmark) ,  Ettlinger Rebecca Bolt (DTU Fotonik, Technical University of Denmark, DK-4000 Roskilde, Denmark) ,  Schou Jorgen (DTU Fotonik, Technical University of Denmark, DK-4000 Roskilde, Denmark) ,  Hansen Ole (DTU Nanotech, Technical University of Denmark, DK-2800 Kgs. Lyngby, Denmark)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 187  ページ： 233-240  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnS_4/CdS界面における電子-正孔再結合は,Cu_2ZnSnS_4太陽電池の効率を制限するのに主要な役割を果たすと信じられる。本研究では,プロセス条件の関数として詳細なCu_2ZnSnS_4/CdS界面バンドダイアグラムを実験的に決定し,それらを界面形成とそれに続くポストアニーリング中に起こる化学プロセスと関連付けた。新しく考案した実験法は光電子分光法と分光エリプソメトリの組み合わせを含む。著者らの測定は,ほとんどのプロセス条件下で,Cu_2ZnSnS_4とCdSの両方のバンドギャップが界面近くで数百meV減少することを明らかにした。さらに,界面バンド曲がりと伝導帯オフセットは高度にプロセス依存性であり,化学的相互拡散の量とほぼ相関している。界面電子特性は,この研究で調べたすべてのプロセス条件下で,クリフ様伝導帯オフセット,またはCu_2ZnSnS_4中の実質的なバンドギャップ狭まり,あるいは両方の効果により,好ましくないことが分かった。本研究によると,界面電子特性のための最も有害なプロセス条件は,ポストアニーリングなしの低いCdS堆積温度である。このような場合でも,230mVの最小開回路電圧損失が,界面または界面近傍再結合により期待される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  伝導バンド ,  再結合 ,  *バンドギャップ ,  光電子分光法 ,  相互拡散 ,  *太陽電池 ,  オフセット ,  *界面
準シソーラス用語： CZTS ,  開回路電圧 ,  バンド曲がり ,  ポストアニーリング ,  *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CZTS ,  ケステライト ,  界面 ,  エリプソメトリー ,  光電子分光法 ,  バンドアラインメント

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdS ,  太陽電池 ,  バンド整列 ,  界面 ,  バンドギャップ ,  プロセス