文献
J-GLOBAL ID:201802244554117395   整理番号:18A0448662

タングステン陰極表面からの電子放出の統計的モデルに向けて【Powered by NICT】

Toward a statistical model of electron emission from tungsten cathode surfaces
著者 (3件):
資料名:
巻: 2017  号: IVEC  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,多結晶W陰極表面の電子放出の統計的モデルを構築するために始めた。このようなモデルの構築は,表面は現在の知識,各表面の面積分率,各表面の仕事関数値が必要である。はいくつかの異なるW表面配向の仕事関数と表面安定性に及ぼすこれらの吸着質の影響を評価するために密度汎関数理論はW表面上のO,Ba,Ba-O吸着質の影響を検討した。表面の安定性と仕事関数に及ぼす種々の表面吸着物の影響の議論を示し,W(011)およびW(111)表面上の新たに発見された安定なBa-O配置した。最後に,計画は電子放出の統計モデルと高出力マイクロ波エレクトロニクスの改善された設計のためのモデルの潜在的影響をさらに開発した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
吸着の電子論  ,  電子放出一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る