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J-GLOBAL ID：201802244592783460   整理番号：18A1511515

高出力半導体増幅器とレーザにおける損失に対する導波路ドーピング効果の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Waveguide Doping Effect on Losses in High Power Semiconductor Amplifiers and Lasers

著者 (3件)： Avrutin E.A. (Dept. of Electronic Engineering, University of York, York, UK) ,  Ryvkin B.S. (Dept of Electrical and Information Engineering, University of Oulu, Oulu, Finland) ,  Kostamovaara J.T. (Dept of Electrical and Information Engineering, University of Oulu, Oulu, Finland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICLO  ページ： 142  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力レーザダイオードと高注入レベルの光増幅器における内部光学損失の半解析的処理を示した。光損失が活性層から熱的に放出される正孔による価電子間バンド吸収により支配されるとき,真の連続波,高温動作の事例を考察した。このような条件下で,光閉込め層のn側の適度に強いnドーピングが光損失を著しく軽減することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体 ,  活性層 ,  *ドーピング ,  光増幅器 ,  *増幅器 ,  半導体レーザ ,  *レーザ ,  連続波 ,  正孔 ,  価電子 ,  *導波路
準シソーラス用語： 光閉込め ,  高温動作 ,  光損失 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  増幅器 ,  レーザ ,  損失 ,  導波路 ,  ドーピング効果 ,  解析