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J-GLOBAL ID：201802244692594092   整理番号：18A0202243

n回路の代替構造を用いた電磁過渡現象の減衰抵抗の影響【Powered by NICT】

Influence of damping resistance in electromagnetic transients using alternate structures of n circuits

著者 (5件)： Santos M. O. (UNESP, Univ. Estadual Paulista, Brazil) ,  Jus L. H. (UNESP, Univ. Estadual Paulista, Brazil) ,  Prado A. J. (UNESP, Univ. Estadual Paulista, Brazil) ,  Gennaro E. M. (UNESP, Univ. Estadual Paulista, Brazil) ,  Filho J. Pissolato (UNICAMP, State University of Campinas, Brazil)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PIERS  ページ： 849-855  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集中定数素子を有する伝送線路をモデル化するには,カスケードにおけるn回路を大量に用いる必要がある。しかし,このタイプのモデルを用いて,数値シミュレーションは,数値振動を引き起こす数値誤差によって影響される。,制動抵抗は振動を弱めると伝送線路における伝搬電磁過渡現象のシミュレーションにおける誤差を低減するために(R_D)に挿入した。電磁過渡現象の伝搬の解析のために,送電線はπ回路によりモデル化された無限小断片に分解した。現在,試験は異なるπ回路構造を用いて実行した。本研究では,1つのタイプは抵抗R_Dを含んでいる,を提示し,交互構造を考察し,もう一つはR_Dを含んでいない。カスケードは,送電線の表現のための二種類のπ型回路の長手方向により構成されている。既述の数値シミュレーションは,線端における電圧を解析するためのπ回路の量を変えることによって行った。この場合,π回路の両方の構造,減衰抵抗(R_D)がある場合とない場合は,解析対象の送電線路を表すカスケードにおける交互に適用した。得られた結果は,カスケードの各π回路への応用R_Dで得られたものと比較した。電磁過渡現象シミュレーションのための交互構造の適用は,モデルの全π回路のためのR_Dを適用して以前に得られた精度を維持計算機シミュレーション時間を低減するために実装した。得られた結果に基づいて,交互構造は,全てのπ回路のためのR_Dの適用の同じ精度を維持し,これらの要素の数を増加させたりもしなかった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *過渡現象 ,  電圧 ,  伝送線路 ,  モデリング ,  モデル ,  送電線 ,  計算機シミュレーション ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 長手方向 ,  回路構成 ,  数値誤差 ,  数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 送電  (NB05030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 代替 ,  過渡現象 ,  減衰