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J-GLOBAL ID:201802244757913864   整理番号:18A0511574

小児余分な手術電気刺激脳マッピングのためのホスフェニトイン前投薬【Powered by NICT】

Fosphenytoin pre-medication for pediatric extra-operative electrical stimulation brain mapping
著者 (8件):
資料名:
巻: 140  ページ: 171-176  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3270A  ISSN: 0920-1211  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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電気刺激マッピング(ESM)中の後発射(ADs),発作,および機能的応答の発生率としきい値に及ぼすホスフェニトイン(FOS)前投薬の効果を調べた。担当epileptologistによる個別化として,FOSは2mgフェニトイン当量(PE)/kg/分または150mg PE/min(も遅い)で静脈内投与した。受信とFOSを受けなかった患者は,AD,発作,および機能的応答の発生率としきい値を比較した。ESM前に,それぞれ40および82名であったFOS前medicated/not前投与された。ESM誘導発作の発生率はFOS前投与患者(22.5% vs. 42.7%, p=0.044)で有意に低く,側頭言語しきい値は高かった(9.2 vs. 6.5 mA, p=0.032)であった。FOSはESMの側と同側symptomatogenic帯患者におけるESM誘導発作を予防するのにより有効であった。がFOS量は最小言語,最小運動,またはADしきい値に有意な影響を及ぼさなかった発作と側頭言語閾値は有意に接近する傾向を示し,12.2mg PE/kgで交差する。ESM誘導発作の発生率は,FOS(42.7%, p=0.046)を受けなかった患者と比較して,≦12mg/kg(9.1%)の用量でFOSを受けた患者で有意に低かったが,側頭言語しきい値に有意差はなかった(6.3 vs. 6.5 mA, p=0.897)。本研究では,ESM前FOS前投薬はESM誘導発作の発生率を低下させるが,側頭言語しきい値を増加させることをクラスIII証拠を提供した。FOS前投薬は,ESM前と考えられる。将来の研究は,前向きにこれらの観察を検証し,用量-応答関係を特徴づけるべきである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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心臓作用薬の臨床への応用  ,  循環系疾患の薬物療法 
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