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J-GLOBAL ID：201802244780980300   整理番号：18A0715514

光触媒活性の増強によるCeドーピングによるZnO薄膜におけるルミネセンスダウンシフトの実現【JST・京大機械翻訳】

Realizing luminescent downshifting in ZnO thin films by Ce doping with enhancement of photocatalytic activity

著者 (2件)： Narayanan Nripasree (Department of Physics, School of Pure & Applied Physics, Kannur University, Payyanur Campus, Kannur, Kerala, 670 327, India) ,  Deepak N.K. (Department of Physics, School of Pure & Applied Physics, Kannur University, Payyanur Campus, Kannur, Kerala, 670 327, India)
資料名： Solid State Sciences  (Solid State Sciences)
巻： 78  ページ： 144-155  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0236B  ISSN： 1293-2558  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる濃度でCeをドープしたZnO薄膜を噴霧熱分解法によりガラス基板上に堆積した。XRD分析により,六方晶系ウルツ鉱型構造を持つ膜の相純度と多結晶性を明らかにし,組成分析によりドープ膜の場合にZnO格子中にCeが取り込まれていることを確認した。結晶品質と光透過率は減少したが,電気伝導率はCeドーピングにより増大した。Ceドーピングは,禁止ギャップの伝導帯の下に形成されたCe関連不純物バンドと合体した後の伝導帯最小のダウンシフトにより,光学エネルギーギャップの赤方偏移をもたらした。室温光ルミネセンススペクトルにおいて,ドープした膜のUV発光強度は減少したが,可視発光バンドの強度は,結晶性の劣化とルミネセンスダウンシフトの可能な欠陥準位の取り込みを大幅に増加させた。Ceドーピングは,自由キャリアを効果的に捕捉し,次に染料分解を移動させることにより,光触媒効率の改善を示した。したがって,CeドープZnO薄膜は効率的な光触媒と同様に発光ダウンシフタとして作用することができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光 ,  六方晶系 ,  赤方偏移 ,  X線回折 ,  *光触媒 ,  *セリウム ,  *酸化亜鉛 ,  電気伝導率 ,  多結晶 ,  結晶度 ,  *ドーピング ,  伝導バンド
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  ガラス基板 ,  *光触媒活性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光触媒活性 ,  増強 ,  Ce ,  ドーピング ,  ZnO薄膜