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J-GLOBAL ID：201802244794971848   整理番号：18A0509507

Crイオン注入によるCdTe単結晶の重ドーピング【Powered by NICT】

Heavy doping of CdTe single crystals by Cr ion implantation

著者 (10件)： Popovych Volodymyr D. (Department of Machine Science and Fundamental Technologies, Ivan Franko Drogobych State Pedagogical University, Ivan Franko str. 24, 82100 Drogobych, Ukraine) ,  Bottger Roman (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstr. 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Heller Rene (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstr. 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Zhou Shengqiang (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Bautzner Landstr. 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Bester Mariusz (Centre for Innovation and Transfer of Natural Sciences and Engineering Knowledge, University of Rzeszow, Pigonia str. 1, 35-959 Rzeszow, Poland) ,  Cieniek Bogumil (Centre for Innovation and Transfer of Natural Sciences and Engineering Knowledge, University of Rzeszow, Pigonia str. 1, 35-959 Rzeszow, Poland) ,  Mroczka Robert (Centre for Interdisciplinary Research, The John Paul II Catholic University of Lublin, Konstantynow str. 1J, 20-708 Lublin, Poland) ,  Lopucki Rafal (Centre for Interdisciplinary Research, The John Paul II Catholic University of Lublin, Konstantynow str. 1J, 20-708 Lublin, Poland) ,  Sagan Piotr (Centre for Interdisciplinary Research, The John Paul II Catholic University of Lublin, Konstantynow str. 1J, 20-708 Lublin, Poland) ,  Kuzma Marian (Centre for Innovation and Transfer of Natural Sciences and Engineering Knowledge, University of Rzeszow, Pigonia str. 1, 35-959 Rzeszow, Poland)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 419  ページ： 26-31  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 500keV Cr~+イオンの高フルエンスでバルクCdTe単結晶の注入は,CdTe格子中のこの元素の平衡溶解度限界以上のCr濃度を達成した。注入された試料の構造と組成を,ホスト格子へのクロムの取込を特性化し,照射誘起損傷ビルドアップを調べるために二次イオン質量分析法(SIMS),走査電子顕微鏡(SEM),エネルギー分散X線(EDX)分析,X線回折(XRD)とRutherford後方散乱分光法(RBS)を用いて調べた。Cr原子の外方拡散とターゲットのスパッタリングは,注入したままの試料における入射粒子イオンの深さ分布と限界濃度を変化させることが分かった。CdTeマトリックス内の結晶学的に配向した金属α-Crナノ粒子の出現は,移植後に見られ,注入イオンの射影飛程をはるかに超えた深さでの強い障害した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  Rutherford散乱分光法 ,  *クロム ,  X線回折 ,  *イオン注入 ,  *テルル化カドミウム ,  X線 ,  *イオン ,  走査電子顕微鏡 ,  深さ分布 ,  *ドーピング ,  *単結晶 ,  フルエンス ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *クロムイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CdTe ,  イオン注入 ,  ドーピング ,  照射誘起損傷 ,  Rutherford後方散乱分光法 ,  二次イオン質量分析

分類 (5件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  電磁場中の粒子の運動及び放射  (BD01030Y) ,  チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失  (BK16100J) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  放射線高分子化学  (CG03050S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Crイオン ,  注入 ,  CdTe ,  単結晶 ,  ドーピング